Neo Semiconductor lancia 3D X

Neo Semiconductor, produttore di flash NAND 3D con sede negli Stati Uniti, sta lanciando i suoi chip di memoria X-DRAM 3D che si dice siano i primi DRAM simili a NAND 3D al mondo con capacità notevolmente aumentate rispetto alle attuali soluzioni DRAM 2D. La prima iterazione della tecnologia 3D X-DRAM può raggiungere una densità di 128 Gb con 230 strati per chip, 8 volte superiore agli attuali chip DRAM 2D. Neo Semiconductor ritiene che questa soluzione possa essere scalata più facilmente e sia meno costosa da implementare rispetto ad altre alternative DRAM 3D, rendendola un valido candidato per sostituire la DRAM 2D nel prossimo futuro.

Il vantaggio della tecnologia 3D X-DRAM risiede nell'uso dell'innovativo design Floating Body Cell (FBC) che memorizza i dati come cariche elettriche utilizzando un transistor e zero condensatori. A differenza di altre alternative DRAM 3D che cercano di inventare nuovi progetti più complicati, 3D X-DRAM sfrutta i processi NAND 3D maturi di oggi, richiedendo quindi solo una maschera per definire i fori della linea di bit e formare la struttura cellulare all'interno dei fori. Questo approccio può semplificare notevolmente la produzione, l'implementazione e la transizione dalla DRAM 2D.

Neo Semiconductor ha già pubblicato tutte le richieste di brevetto rilevanti presso l'USPAP il 6 aprile di quest'anno. L’azienda è determinata a promuovere la 3D X-DRAM nel settore come soluzione necessaria per la crescente domanda di memoria ad alte prestazioni e ad alta capacità determinata dai rapidi progressi dell’intelligenza artificiale. Secondo le stime di Neo Semiconductor, la capacità di memoria potrebbe essere raddoppiata fino a 256 Gb entro il 2025, mentre la capacità di 1 Tb potrebbe essere offerta entro un decennio. Maggiori informazioni verranno rilasciate al Flash Memory Summit del 9 agosto 2023.

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Neo semiconduttore

tramite DigiTimes

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